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荷花书海 -艺术 -宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能

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宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能书籍详细信息

  • I***N：9787560664446
  • 作者：暂无作者
  • 出版社：暂无出版社
  • 出版时间：2022-09
  • 页数：暂无页数
  • 价格：96.00
  • 纸张：胶版纸
  • 装帧：精装
  • 开本：16开
  • 语言：未知
  • 丛书：暂无丛书
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内容简介：

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。

本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

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I***N：9787560664446
出版社：暂无出版社
出版日期：2022-09
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